诺思（天津）微系统有限公司（以下全称：诺思微系统）的亚洲首座具备原始知识产权（IP）的FBAR晶圆厂，座落在美丽的渤海之滨天津，厂房和研发中心总占地面积2.7万平方米，总投资金额超过7.5亿元人民币，月产超过50MPcs。经过诺思微系统人的不懈努力，第一批6英寸FBAR晶圆已于今年月下线。

FBAR（薄膜体声波谐振器）FBAR是近些年发展一起的新一代无线射频滤波器、双工器和多工器解决方案，在无线通讯中的应用于更加广泛。使用硅衬底和微机电系统（MEMS）生产技术的FBAR射频滤波器以卓越的性能和微小的器件尺寸受到普遍注目。

诺思微系统的6英寸FBAR晶圆生产线与世界互通，享有先进设备的工艺技术及设备，诺思微系统正在天津和南昌创建MEMS产业链，打造出中国的“MEMS产业基地”，为全球客户获取基于FBAR技术的射频MEMS方案。诺思微系统的天津工厂：已投产一条FBAR晶圆生产线和一条工艺研发线。

厂房和研发中心总占地面积2.7万平方米。诺思微系统的南昌工厂：设有两条FBAR晶圆生产线，厂房和研发中心总占地面积5万平方米，预计2018年Q3开始投产。了解理解晶圆生产过程诺思微系统的整座晶圆厂是一个高标准的无尘室，为了维持生产环境的意味著洁净，外来的空气必需再行经过细致的高效过滤器，将比头发丝小50倍的0.1微米的颗粒都推开在洁净室外。无尘室中的温度、湿度、静电、压力、磁场以及震动等都必须严格控制，而生产集成电路所必须的纯水、化学品与气体等，则就是指无尘室外围利用交错产于的管道，必要输送到各类生产设备上。

诺思微系统的RFMEMS产品是通过MEMS技术在半导体晶圆上制作FBAR芯片。如果将一颗芯片缩放来看，可以看见微小的芯片由两层芯片键合而成，更加微小的主体工作结构-谐振器，就正处于芯片之间。MEMS制作原理与传统的CMOS工艺有很多相似之处，如光刻、薄膜沉积、光刻、化学机械抛光工艺等，但是有些简单的微结构无法用CMOS工艺构建，必需使用MEMS加工技术生产。

MEMS产品制作在硅衬底上，首先将硅从沙中萃取并提纯，经过类似工艺生产出有硅锭，再行经切割成获得用作生产MEMS芯片的薄硅片。然后再行经过各种清除、成膜、光刻和光刻等工艺，将芯片生产出来。

一般来说生产一个MEMS产品必须十至二十层掩膜，层与层之间的对准必需十分准确。非常简单地说道，涉及产品的生产就是把一个个掩膜图形，使用曝光、底片、淀积、光刻等工艺把设计图按层始现在晶圆上，再加如壮烈牺牲层制作和获释等类似工艺处置构成微动机构，最后通过减薄等工艺，生产出有成品的芯片。诺思微系统的FABR生产线主要组成部分：光刻区、薄膜区、光刻区、减薄区、测量区、晶圆测试区。

新品公布诺思微系统在2017年10月公布了近期的Wi-Fi滤波器产品RSFP2413E。可在智能手机和物联网应用于中大幅提高Wi-Fi的有效地范围和覆盖面积，为消费者、的组织和服务供应商获取更好的容量和更高的服务质量。在今年将销售的多达15亿部带上Wi-Fi功能的智能手机中，相当大一部分能在使用LTEB7、B38、B40或B41频段的西欧、中国和北美地区用于。

这些频段正好正处于全球Wi-Fi频段2400MHz~2483MHz的上下方，必须FBAR滤波器避免Wi-Fi与LTE之间再次发生阻碍。RSFP2413E获取更为平缓的滚降，在LTE7频段、38频段和41频段的诱导的典型值小于44dB，在LTE40频段的带外诱导的典型值小于48dB。

对附近LTE频段低的带外诱导使得在同一个模块或邻接很将近的两个模块中Wi-Fi和LTE信号并存沦为有可能。

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